近幾年來，隨著技術(shù)的進步，元器件的可靠性越來越高，有些傳統(tǒng)的試驗方法已經(jīng)不能適應(yīng)。例如，IC常用的溫度/濕度/偏壓(THB) 試驗(85C/85%RH加偏壓)對日前封裝的質(zhì)量水平來說要經(jīng)過幾千小時的試驗才能獲得有用的結(jié)果，另外，隨著越來越多的塑封微電路和COTS產(chǎn)品在高可靠設(shè)備上的應(yīng)用，也需要在試驗和篩選技術(shù)上進行改進，以減少風險。
在美國宣布采用非政府標準SSB-1“在航空與其它嚴格控制應(yīng)用中使用塑封微電路與半導體的導則”，標準中規(guī)定了有關(guān)半導體企業(yè)用于鑒定新產(chǎn)品或改進產(chǎn)品的常用可靠性試驗，包括：表面安裝器件的預(yù)處理、偏壓壽命試驗、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、THB和高加速應(yīng)力試驗(HAST) 等。
在這些試驗中，HAST試驗箱是專為塑封固態(tài)器件而設(shè)計的 ，因為事實證明，高壓蒸煮和THB試驗對于某些健壯的塑封微電路已經(jīng)不能產(chǎn)生失效。
Hast試驗箱用于評估非氣密性封裝IC器件、金屬材料等在濕度環(huán)境下的可靠性。在溫度/濕度/偏壓條件下應(yīng)用于加速濕氣的滲透，可通過外部保護材料(塑封料或封口)，或在外部保護材料與金屬傳導材料之間界面。
這一試驗用高溫(通常為130 ℃)、高相對濕度(約85%)、高大氣壓力的條件(達3 atm)來加速潮氣通過外部保護材料或芯片引線周圍的密封封裝。
當潮氣到達基片的表面，電勢能可把器件變成電解電池，從而加速腐蝕失效機理。這一試驗要加速的失效機理包括有金屬化腐蝕、材料界面處的分層、線焊失效、絕緣電阻下降等。
這與THB類似，但HAST的加速速率更快。有些器件生產(chǎn)廠通過比較確定某個批次的失效是由相同的失效模式引起后，就對這一批次用HAST代替THB ，然后使用加速因子根據(jù)HAST試驗結(jié)果推導出等效的THB失效結(jié)果。
對于加速試驗，過去大多是用單應(yīng)力和恒定應(yīng)力剖面來進行。但在新的加速試驗中，應(yīng)力剖面不需要恒定，也可使用應(yīng)力組合。
常見的非恒定應(yīng)力剖面和組合應(yīng)力剖面有分步進應(yīng)力剖面試驗、漸進應(yīng)力剖面試驗、高加速壽 命試驗(HALT)、 高加速應(yīng)力篩選(HASS) 和HAST。
其中HALT、HASS和HAST是較新的試驗方法。HALT 是一種開發(fā)試驗，是增強型的分步應(yīng)力試驗。一般用于發(fā)現(xiàn)設(shè)計的弱點和生產(chǎn)過程問題，其月的是提高設(shè)計的強度余量，而不是預(yù)計產(chǎn)品的定量壽命或可靠性。
HASS是一種加速環(huán)境應(yīng)力篩選。它提供了產(chǎn)品遇到的最嚴酷的環(huán)境，而且所花的時間很有限。HASS 的目的是達到“技術(shù)的基本極限”，即應(yīng)力的小量增加就會大量增加失效的應(yīng)力水平。 HALT和HASS聯(lián)合使用的目標是改進產(chǎn)品設(shè)計時使生產(chǎn)變化和環(huán)境作用對性能和可靠性的影響降到最小。
